存模块)样品,传输速率最高可达9200 MT/s,比目前量产的DDR5内存快40%以上。 该模块基于美光1-gamma DRAM工艺打造。1-gamma是美光第六代10nm级节点,也是其首次采用EUV光刻技术量产的DRAM制程,单片晶圆输出密度较前代提升超30%,16Gb DDR5芯片速度快15%、功耗降超20%。  
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发布时间:06:02:36